Laserowa maszyna do cięcia wafli SiC Power Device

Wyślij zapytanie
Laserowa maszyna do cięcia wafli SiC Power Device
Szczegóły
Opis produktu Laserowa maszyna do cięcia wafli w kształcie SiC Power Device została specjalnie zaprojektowana do precyzyjnego oddzielania i krojenia w kostkę płytek z węglika krzemu (SiC), urządzeń półprzewodnikowych mocy i zaawansowanych podłoży ceramicznych. Wyposażony w laser światłowodowy o dużej-mocy,-ultraprecyzyjny ruch...
Klasyfikacja produktów
Maszyna do cięcia laserowego ceramiki z węglika krzemu (SiC).
Share to
Opis

Opis produktów

 

Laserowa maszyna do cięcia wafli SiC Power Device została specjalnie zaprojektowana do precyzyjnego oddzielania i wycinania w kostkę płytek z węglika krzemu (SiC), urządzeń półprzewodnikowych mocy i zaawansowanych podłoży ceramicznych.

 

Wyposażona w-laser światłowodowy o dużej mocy, ultra-precyzyjną platformę ruchu i system wyrównywania obrazu CCD, maszyna zapewnia wysoką-prędkość i-dokładność przetwarzania, minimalizując jednocześnie odpryski, mikro-pęknięcia i uszkodzenia termiczne.

 

System szczególnie nadaje się do produkcji półprzewodników trzeciej{0}}generacji, takich jak moduły mocy i podłoża do opakowań półprzewodników.

 

Funkcje wyposażenia

 

 

Technologia lasera światłowodowego o-wysokiej mocy

  • Zaawansowane źródło lasera światłowodowego-klasy przemysłowej
  • Doskonała jakość wiązki i stabilność energetyczna
  • Obsługa-bezobsługowa
  • Wysoka wydajność konwersji elektro-optycznej
  • Niskie koszty operacyjne
 

Ultra-precyzyjna platforma ruchu

  • Podstawa maszyny z naturalnego granitu zapewniająca doskonałą sztywność
  • Zintegrowana konstrukcja suwnicy zapewnia odporność na wibracje
  • Wysoka-szybkość i-wysoka stabilność działania
 

Liniowy układ napędowy silnika

  • Zaimportowany układ silnika liniowego
  • Enkoder liniowy o wysokiej-rozdzielczości 0,5 μm
  • Sterowanie CNC w-pełnej zamkniętej pętli
  • Szybka reakcja i doskonała dokładność pozycjonowania
 

Wyrównanie wzroku CCD

  • Automatyczne wyrównywanie płytek
  • Uznanie fiducjalne
  • Wysoce-precyzyjne pozycjonowanie w zastosowaniach półprzewodnikowych
 

Laserowe cięcie w kostkę-niskie obrażenia

  • Wąska szerokość nacięcia
  • Minimalne odpryski
  • Zmniejszona strefa wpływu ciepła
    Poprawiona wydajność matrycy

 

Aplikacje

 

Przemysł półprzewodników trzeciej-generacji

Płytki urządzeń zasilających SiC
Płytki MOSFET SiC
Diody Schottky’ego SiC
Moduły mocy SiC
Podłoża opakowaniowe SiC
 

 

Przemysł opakowań półprzewodników

Podłoża ceramiczne
Substraty DBC
Podłoża AMB
Podłoża AlN
Nośniki półprzewodnikowe

 

Nowy przemysł energetyczny

Moduły zasilania pojazdów elektrycznych

Systemy ładowania

Systemy magazynowania energii

Falowniki fotowoltaiczne

 

Elektronika Przemysłowa

Komponenty półprzewodnikowe dużej-mocy

Inteligentny sprzęt produkcyjny

Napędy przemysłowe

Elektronika transportu kolejowego

 

Dane techniczne

 

PrzedmiotParametr

Typ lasera

 

Laser światłowodowy

 

Długość fali lasera

 

1060–1080 nm

 

Moc lasera

 

1000 W (niestandardowe)

 

Obszar przetwarzania

 

600 × 600 mm

 

Grubość cięcia

 

Zależy od materiału

 

Powtarzalność Dokładność

 

±5 μm

 

Szybkość przetwarzania

 

0–3000 mm/min

 

Maksymalna prędkość jazdy

 

60 m/min

 

Maksymalne przyspieszenie

 

1.2 G

 

Dokładność stołu roboczego

 

Mniejsza lub równa 0,015 mm

 

Układ napędowy

 

Zaimportowany enkoder silnika liniowego + 0.5 μm

 

Moc maszyny

 

Mniej niż lub równa 7 kW

 

Masa maszyny

 

Około 1800 kg

 

Wymiary maszyny

 

1800 × 1470 × 1890 mm

 

 

Zalety krojenia wafli SiC

 

 

Wysoka precyzja

Umożliwia precyzyjne krojenie płytek SiC i podłoży półprzewodnikowych przy doskonałej spójności wymiarowej.

 

Niskie odpryski

Zoptymalizowana obróbka laserowa minimalizuje wady krawędzi i poprawia jakość matrycy.

 

Wysoka wydajność

Redukuje mikro-pęknięcia i naprężenia termiczne, pomagając poprawić ostateczną wydajność urządzenia.

 

 

Elastyczne przetwarzanie

Nadaje się do-cięcia po linii prostej, rozdzielania płytek, rowkowania, wiercenia i niestandardowej obróbki półprzewodników.
 

 

Gotowość do automatyzacji

Kompatybilny z liniami produkcyjnymi półprzewodników i niestandardowymi rozwiązaniami automatyzacji.

Typowe próbki do przetwarzania

 

  • Płytki urządzeń zasilających SiC
  • Płytki MOSFET SiC
  • Podłoża ceramiczne DBC
  • Podłoża ceramiczne AMB
  • Podłoża ceramiczne AlN
  • Nośniki opakowań półprzewodników
  • Zaawansowane komponenty ceramiczne

Przykładowe zastosowania

8mm thick silicon SI3N4 ceramic
Ceramika silikonowa SI3N4 o grubości 8 mm
Solar photovoltaic ceramic suction cup
Ceramiczna przyssawka fotowoltaiczna do fotowoltaiki

 

Drilling micropores in Si₃N₄ ceramics
Wiercenie mikroporów w ceramice Si₃N₄
Semiconductor equipment ceramic suction cups

Sprzęt półprzewodnikowy, ceramiczne przyssawki

 

Obejrzyj nasz film dotyczący cięcia laserowego.

Usługi po-sprzedaży i pomocy technicznej

 

Bezpłatne pobieranie próbek płytek SiC

Bezpłatna obróbka płytek SiC o średnicy 4”, 6” i 8”. Obejmuje-kontrolę przekroju poprzecznego, testy elektryczne i rozwiązania w zakresie procesu produkcyjnego na pełną-masę.
 

 

Fabrycznie załadowany pakiet procesów półprzewodnikowych

Zawiera dojrzałe parametry „stealth dicing” dla wszystkich płytek SiC. Nie wymaga-dostrajania we własnym zakresie-stabilna produkcja od pierwszego dnia.

 

Gwarancja Premium i dożywotnia pomoc techniczna

Roczna-pełna-gwarancja na maszynę oraz bezpłatne, dożywotnie aktualizacje, optymalizacja procesów i konsultacje techniczne.

 

Instalacja i szkolenie na miejscu-

Inżynierowie zajmują się instalacją i uruchomieniem. Szkolenie operatorów zapewnia szybkie i płynne rozpoczęcie produkcji.

 

Szybka pomoc techniczna 24 godziny na dobę, 7 dni w tygodniu

Całodobową-przez całą dobę zdalne rozwiązywanie problemów i awaryjną-serwis na miejscu, aby zapobiec przestojom w produkcji.

 

Indywidualna integracja automatyki

Opcjonalne w pełni zautomatyzowane systemy załadunku/rozładunku do bezzałogowej produkcji masowej.

 

Jak z nami współpracować?

Aby uzyskać raporty-przekrojowe, filmy-z masowej-produkcji, dokładne wyceny lub dostosowane plany produkcji, skontaktuj się z naszym zespołem, aby uzyskać bezpłatną-jedna-konsultację na temat-najwyższej klasy rozwiązań do przetwarzania SiC.

 

Nasz adres

1. piętro, budynek B, Phoenix Park, nr 8, Optics Valley Science and Technology Park, nr 18, Gaoxin 6th Road, dzielnica Jiangxia, miasto Wuhan

 

Numer telefonu

+8618602711568

modular-1


 

Często zadawane pytania

P: Jakie materiały może przetwarzać Twoja maszyna?

Odp.: Kompatybilny z zaawansowaną ceramiką, zieloną taśmą LTCC, szkłem, szafirem, kwarcem, PCB/FPC, płytkami,-ultracienkim metalem, folią do baterii litowych i innymi twardymi i kruchymi materiałami precyzyjnymi. Opcjonalne źródła lasera do przetwarzania-wielozadaniowego.

P: Jaka jest minimalna dokładność wiercenia otworu i pozycjonowania?

O: Min. średnica otworu 0,05 mm, powtarzalna dokładność pozycjonowania +2um, dopasowanie do masowej produkcji 3C, elementów półprzewodnikowych i optycznych.

P: Jakie źródła lasera są zainstalowane na Waszych maszynach? Czy są to lasery-znanej marki?

Odp.: Odp.: Konfigurujemy lasery o różnych długościach fal i mocach wyjściowych dostosowanych do wymagań przetwarzania. Nasz sprzęt jest standardowo wyposażony w-opracowane przez nas źródła laserowe; alternatywnie, na życzenie klienta, można zainstalować określone lasery markowe.

P: Czy dostępna jest masowa produkcja 24-godzinna bez nadzoru?

O: O: Nasza maszyna wykorzystuje sterowanie CNC w-pętli zamkniętej; opcjonalny automatyczny załadunek/rozładunek i podwójny stół roboczy umożliwiają całodobową, automatyczną produkcję bez nadzoru. Jednakże okresowe krótkie przerwy na odpoczynek po długiej, ciągłej pracy pomagają skutecznie przedłużyć żywotność sprzętu.

 

 

Popularne Tagi: Laserowa maszyna do krojenia wafli sic power, Chiny Laserowa maszyna do krojenia wafli sic power machine producenci, dostawcy, fabryka

Wyślij zapytanie